W66CM2NQUAHJ TR
Winbond Electronics
Deutsch
Artikelnummer: | W66CM2NQUAHJ TR |
---|---|
Hersteller / Marke: | Winbond Electronics Corporation |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
2500+ | $9.39 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 18ns |
Spannungsversorgung | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
Supplier Device-Gehäuse | 200-WFBGA (10x14.5) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 200-WFBGA |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 4Gbit |
Speicherorganisation | 128M x 32 |
Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 2.133 GHz |
Grundproduktnummer | W66CM2 |
Zugriffszeit | 3.5 ns |
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() W66CM2NQUAHJ TRWinbond Electronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|